F. Soares-Carvalho, I. Jauberteau, P. Thomas, J. Mercurio
{"title":"Bi4Ti3O12铁电薄膜:形貌与电学特性","authors":"F. Soares-Carvalho, I. Jauberteau, P. Thomas, J. Mercurio","doi":"10.1051/JP3:1997179","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Des couches minces de Bi 4 Ti 3 O 12 ont ete preparees par centrifugation a partir d'un alcoxyde mixte de bismuth et de titane sur des substrats Pt/TiO 2 /SiO 2 /Si. Des 480 °C, la phase Bi 4 Ti 3 O 12 est cristallisee. Une croissance des grains associee a une augmentation de la rugosite des films a ete observee avec le nombre croissant de couches. Les mesures de cycles d'hysteresis ont confirme le caractere ferroelectrique des films.","PeriodicalId":237595,"journal":{"name":"Journal De Physique Iii","volume":"19 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"1997-06-01","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"2","resultStr":"{\"title\":\"Bi4Ti3O12 ferroelectric thin films : Morphology and electrical characteristics\",\"authors\":\"F. Soares-Carvalho, I. Jauberteau, P. Thomas, J. Mercurio\",\"doi\":\"10.1051/JP3:1997179\",\"DOIUrl\":null,\"url\":null,\"abstract\":\"Des couches minces de Bi 4 Ti 3 O 12 ont ete preparees par centrifugation a partir d'un alcoxyde mixte de bismuth et de titane sur des substrats Pt/TiO 2 /SiO 2 /Si. Des 480 °C, la phase Bi 4 Ti 3 O 12 est cristallisee. Une croissance des grains associee a une augmentation de la rugosite des films a ete observee avec le nombre croissant de couches. Les mesures de cycles d'hysteresis ont confirme le caractere ferroelectrique des films.\",\"PeriodicalId\":237595,\"journal\":{\"name\":\"Journal De Physique Iii\",\"volume\":\"19 1\",\"pages\":\"0\"},\"PeriodicalIF\":0.0000,\"publicationDate\":\"1997-06-01\",\"publicationTypes\":\"Journal Article\",\"fieldsOfStudy\":null,\"isOpenAccess\":false,\"openAccessPdf\":\"\",\"citationCount\":\"2\",\"resultStr\":null,\"platform\":\"Semanticscholar\",\"paperid\":null,\"PeriodicalName\":\"Journal De Physique Iii\",\"FirstCategoryId\":\"1085\",\"ListUrlMain\":\"https://doi.org/10.1051/JP3:1997179\",\"RegionNum\":0,\"RegionCategory\":null,\"ArticlePicture\":[],\"TitleCN\":null,\"AbstractTextCN\":null,\"PMCID\":null,\"EPubDate\":\"\",\"PubModel\":\"\",\"JCR\":\"\",\"JCRName\":\"\",\"Score\":null,\"Total\":0}","platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Journal De Physique Iii","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.1051/JP3:1997179","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
Bi4Ti3O12 ferroelectric thin films : Morphology and electrical characteristics
Des couches minces de Bi 4 Ti 3 O 12 ont ete preparees par centrifugation a partir d'un alcoxyde mixte de bismuth et de titane sur des substrats Pt/TiO 2 /SiO 2 /Si. Des 480 °C, la phase Bi 4 Ti 3 O 12 est cristallisee. Une croissance des grains associee a une augmentation de la rugosite des films a ete observee avec le nombre croissant de couches. Les mesures de cycles d'hysteresis ont confirme le caractere ferroelectrique des films.
求助内容：
应助结果提醒方式：
京公网安备 11010802042870号
