Über das Wachstum und die Polytypieerscheinungen von synthetischen Zinksulfid-Kristallen

Abstract

Kristallmorphologische Untersuchungen an synthetischen ZnS-Einkristallen ergaben, das in Abhangigkeit vom verwendeten Tragergas deutliche Tracht- oder Habitusanderungen auftraten. Die einzelnen Wachstumstemperaturen fur die unterschiedlich ausgebildeten Kristalle wurden fur eine Sublimationstemperatur von 1300 °C beschrieben. Hinsichtlich der Atzgruben und der Wachstumsbildungen war polares Verhalten auf den Basisflachen der Prismen zu erkennen. Die Zuchtungsbedingungen, unter denen das Wachstum strukturreiner Blende- und Wurtzitkristalle beobachtet wurde, werden beschrieben. Eine an ZnS-Prismen im Wachstumsgebiet zwischen 1200° und 1300 °C beobachtete Abhangigkeit des Fehlordnungsgrades von den Wachstumstemperaturen wird angegeben. Weiterhin werden die an den morphologisch unterschiedlich ausgebildeten Kristallen auftretenden Polytypieerscheinungen dargestellt, und es wird mit Hilfe von Rontgenaufnahmen die Moglichkeit der Beeinflussung der eindimensionalen Lagenfehlordnung durch eine entsprechende Nachbehandlung aufgezeigt. Morphological studies are made of ZnS single crystals grown from the vapour phase. Growth habits are found to depend on the nature of the carrier gas. The correlation existing between growth habit and temperature is investigated for a sublimation temperature of 1300° C. An examination of the etch pits and growth forms visible on the bases of prismshaped crystals indicates that these crystals have polar properties. Conditions are described under which solely zinc blende-and wurtzite-type crystals are found to grow. The concentration of intrinsic defects in prism-shaped crystals is found to be dependent on growth temperature between 1200 and 1300° C. Polytypical phenomena are studied for morphologically different crystals. It is shown by X-ray analysis that the number of stacking faults can be changed by subsequent heat treatment.