Revealing of Lattice Defects on (111) Faces of Gallium Phosphide and Indium Phosphide by Chemical Etching

Abstract

A solution is presented suitable for revealing lattice defects on (111) phosphorous faces of GaP and InP. It is possible to distinguish between pits originated by grown-in dislocations and microdefects such as perfect loops, faulted loops and precipitates and/or inclusions. Moreover it is also possible to reveal large stacking faults of Shockley type and microtwin lamellae. One to one correlations have been given by means of transmission electron microscopy. Es wird eine neue Losung vorgestellt, die auf (111) Flachen von GaP und InP Gitterdefekte anazt. Es ist moglich zwischen Versetzungen und Mikrodefekten wie vollstandigen Versetzungsringen, unvollstandigen Versetzungsringen sowie Ausscheidungen und/oder Einschlussen zu unterscheiden. Neben ausgedehnten Stapelfehlern vom Shockley-Typ werden auch Mikrozwillingslamellen und Korngrenzen angeatzt. Eine exakte Korrelation der verschiedenen Atzerscheinungen mit den entsprechenden Gitterdefekten erfolgte mittels Transmissionselektronenmikroskopie.