Электрофизические измерения твердых растворов InxAl1-xAs

Abstract

Методом вольт-фарадных характеристик исследованы тонкие (~ 1 мкм) преднамеренно нелегированные слои InxAl1-xAs, выращенные методом MBE на полуизолирующей подложке InP. Показано, что исследованные при комнатной температуре слои InxAl1-xAs имеют n – тип проводимости. При экспериментальном исследовании температурных зависимостей дифференциальной проводимости обнаружен центр локализации заряда, эффективное значение энергии которого находится в запрещенной зоне твердого раствора InxAl1-xAs (, Eg = 1.5 эВ) и составляет ~ 0.49 эВ до верха зоны проводимости твердого раствора.   БЛАГОДАРНОСТИ Авторы выражают искреннюю благодарность всему коллективу Новосибирского Института физики полупроводников СО РАН, лично Гилинскому Александру Михайловичу за предоставленные образцы  и Воронежскому государственному университету инженерных технологий за плодотворное обсуждение полученных экспериментальных результатов.     ЛИТЕРАТУРА Yamashita Y., Endoh A., Shinohara K., Hikosaka K., Matsui T, Hiyamizu S., Mimura T. IEEE Electron Device Letters, 2002, vol. 23, iss. 10, p. 573. https://doi.org/10.1109/led.2002.802667  Chang E.-Y., Kuo C.-I., Hsu H.-T., Chiang C.-Y., Miyamoto Y. Applied Physics Express, 2013, vol. 6, iss. 3, p. 34001. https://doi.org/10.7567/apex.6.034001  del Alamo A. Nature, 2011, vol. 479, pp. 317-323. https://doi.org/10.1038/nature10677  Stillman W. J., Shur. M. S. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2007, vol. 2, no. 3, pp. 209-221. https://doi.org/10.1166/jno.2007.301  Adachi S. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III–V and II–VI Semiconductors. Wiley, 2009, p. 422. Denton A. R., Ashcroft N. W. Rev. A., 1991, vol. 43, iss. 6, pp. 3161-3164. https://doi.org/10.1103/physreva.43.3161  Vurgaftman , Meyer J. R., Ram-Mohan L. R. J. Appl. Phys., 2001, vol. 89, iss. 11, pp. 5815-5875. https://doi.org/10.1063/1.1368156 Sze S. M. Physicsof Semiconductor Devices. Wiley, 1969, 2nd Ed. 1981, 868 p.  Casey H. C., Cho A. Y., Lang D. V., Nicollian E. H., Foy P. W. Appl. Phys., 1979, vol. 50, iss. 5, pp. 3484-3491. https://doi.org/10.1063/1.326343  Forrest S. R., Kim O. K. Appl. Phys., 1982, vol. 53, iss. 8, pp. 5738. https://doi.org/10.1063/1.331462