Contact Potential Difference Measurements on Real Semiconductor Surfaces by Means of a Point Vibrating Electrode

Abstract

Changes of contact potential are observed in inversion layers induced in germanium by applying a reverse bias voltage in the vicinity of a p-n junction. Comparison is made with changes of surface potential calculated from simultaneous measurements of channel conductance. Agreement is good, showing that, under certain conditions, changes in the potential drop through the oxide layer can be neglected. Es wird gezeigt, das sich das Kontaktpotential von Inversionsschichten in der Nahe eines Ge-p-n-Uberganges beim Anlegen einer Sperrspannung andert. Diese Anderungen stimmen gut mit Werten des Kontaktpotentials uberein, die aus der gleichzeitig gemessenen Channel-Leitfahigkeit berechnet wurden. Diese Ubereinstimmung last den Schlus zu, das die Anderungen des Potentialabfalls an der Oxydschicht unter bestimmten Bedingungen vernachlassigt werden konnen.