The Effects of Dried O2 on the Surface Conductance of Silicon

Abstract

In order to evaluate the effects of dried oxygen on the electrical transport properties of the silicon surface, ac field effect measurements on a CP-4 etched surface have been made. The equilibrium surface potential of a sample stored in room air undergoes a 12 mv p-type shift upon exposure to dried O2. The field effect mobility changes from 0.11 (n-type) to 0.19 (p-type) cm2/volt sec. After the sample is exposed to dried O2, the applied electric field produces a total variation of the charge trapped in the surface states of 22mμ coul/cm2 with a corresponding variation in surface potential of 0.75 (e φ/k T units). Um den Einflus von getrocknetem Sauerstoff auf die elektrischen Transporteigenschaften der Siliziumoberflache zu untersuchen, wurden Wechselstrom-Feldeffektmessungen an einer mit CP-4 geatzten Oberflache ausgefuhrt. Das Gleichgewichts-Oberflachenpotential einer in Zimmerluft aufbewahrten Probe wird unter Einwirkung von getrocknetem O2 um 12 mV in p-Richtung verschoben. Die Feldeffekt-Beweglichkeit andert sich von 0,11 (n-Typ) bis 0,19 (p-Typ) cm2/V sec. Nachdem die Probe getrocknetem Sauerstoff ausgesetzt wurde, erzeugt das elektrische Feld eine Gesamtanderung der in den Oberflachenzustanden angehafteten Ladung von 22 mμ Coul/cm2, wobei sich das Oberflachenpotential um 0,75 kT/e andert.