Wide band transimpedance amplifier at 3 GHz IN 130 nm technology

2008 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics Pub Date : 2008-12-09 DOI:10.1109/SMICND.2008.4703440

A. Kara-Omar, C. Vialon, D. Dragomirescu, A. Coustou, R. Plana

引用次数: 2

Abstract

This paper presents a transimpedance amplifier designed in ST Microelectronics BiCMOS9MW 130 nm technology. This circuit works as IF (intermediate frequency) buffer for mixer circuits. It presents a 37 dBOmega transimpedance gain, low input impedance, and 100Omega differential output impedance.

查看原文本刊更多论文

130纳米技术下的3 GHz宽带透阻放大器

介绍了一种采用ST微电子BiCMOS9MW 130 nm工艺设计的跨阻放大器。该电路作为中频缓冲器用于混频器电路。它具有37 dboma的跨阻增益，低输入阻抗和100 ω的差分输出阻抗。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

2008 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics

自引率

0.00%

发文量