Ag/pentasen/Cu MIM Yapısının Optoelektronik Özelliklerinin İncelenmesi

Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi Pub Date : 2023-12-15 DOI:10.31466/kfbd.1336879

Fatih Ünal

引用次数: 0

Abstract

Ag/pentasen/Cu MIM yapısı (metal-insulator-metal) termal buharlaştırma yöntemi kullanılarak başarılı bir şekilde üretilmiştir. Üretilen yapının temel I-V karakterizasyonu karanlık ve 20, 40, 60, 80, 100 mW.cm-2 ışık şiddetinde incelenmiştir. MIM yapısının diyot parametreleri; idealite faktörü (n), engel yüksekliği (ϕb), ters doyma akımı (I0), seri direnç (Rs) ve Shunt direnç (Rsh) değerleri hem karanlık hem de farklı ışık şiddetlerinde belirlenmiştir. Karanlık ortamda sırasıyla n, ϕb, I0, Rs ve Rsh değerleri 7.95, 0.31 eV, 1.95x10-6 A, 3.13x104 Ω ile 3.85 x104 Ω olduğu belirlenmiştir. Ayrıca üretilen MIM yapısının fotodedektör parametreleri; fotoakım (Iph), duyarlılık (R) ve özgül dedektiflik (D*) değerleri de farklı ışık şiddetlerinde incelenmiştir ve maksimum değerlerin sırasıyla 7.85x10-5 A, 6.09x10-3 A.W-1 ve 1.86x107 Jones olduğu belirlenmiştir.

查看原文本刊更多论文

研究琼脂/五金刚石/铜 MIM 结构的光电特性

利用热蒸发法成功制造了 Ag/pentacene/Cu MIM 结构（金属-绝缘体-金属）。在黑暗环境和 20、40、60、80、80、100 mW.cm-2 的光照强度下，对所制造结构的基本 I-V 特性进行了研究。在黑暗环境和不同光照强度下测定了 MIM 结构的二极管参数：意向系数 (n)、障碍高度 (jb)、反向饱和电流 (I0)、串联电阻 (Rs) 和并联电阻 (Rsh) 值。结果发现，在黑暗条件下，n、jb、I0、Rs 和 Rsh 的值分别为 7.95、0.31 eV、1.95x10-6 A、3.13x104 Ω 和 3.85 x104 Ω。此外，还研究了在不同光照强度下制备的 MIM 结构的光电探测器参数：光电流 (Iph)、灵敏度 (R) 和比指向性 (D*)，发现最大值分别为 7.85x10-5 A、6.09x10-3 A.W-1 和 1.86x107 Jones。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi

自引率

0.00%

发文量