Simple Al-Gate-Technology Yields High Bit-Density

ESSCIRC 76: 2nd European Solid State Circuits Conference Pub Date : 1976-09-01 DOI:10.1109/ESSCIRC.1976.5469237

G. Meusburger, Hermann Keller

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Abstract

A single-transistor memory cell in n-channel-Al-gate technology with 2.5 ¿m design rules will be described. Due to a novel design feature a bit density of 5720 bit/mm2 has been achieved.

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简单铝门技术产生高比特密度

本文将描述一种采用n通道al栅极技术的2.5¿m设计规则的单晶体管存储单元。由于一种新颖的设计特点，比特密度达到5720 bit/mm2。

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ESSCIRC 76: 2nd European Solid State Circuits Conference

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