A 70ns 2Mb mask ROM with a programmed memory cell

1986 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/ISSCC.1986.1156970

S. Ariizumi, T. Iwase, M. Takizawa, T. Mocozuki, M. Ono, K. Maeda, M. Asano, F. Masuoka

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Abstract

This report will cover the development of a 70ns 2Mb CMOS mask ROM with a through-hole programmed memory, using double-poly layers and self-aligned contact. With 1.5μm design rules, the die measures 6.57 × 11.9mm.

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一个70ns的2Mb掩码ROM，带有一个可编程的存储单元

本报告将介绍70ns 2Mb CMOS掩模ROM的开发，该掩模ROM具有通孔编程存储器，采用双多晶硅层和自对准触点。模具尺寸为6.57 × 11.9mm，设计规则为1.5μm。

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1986 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers

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