Арсенид-галлиевые структуры с углеродным покрытием: многофункциональное применение для приборов оптоэлектроники и бета-вольтаики

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ Pub Date : 2021-09-27 DOI:10.34077/rcsp2021-92

В.П. Лесников, Марина Витальевна Ведь, О.В. Вихрова

{"title":"Арсенид-галлиевые структуры с углеродным покрытием: многофункциональное\nприменение для приборов оптоэлектроники и бета-вольтаики","authors":"В.П. Лесников, Марина Витальевна Ведь, О.В. Вихрова","doi":"10.34077/rcsp2021-92","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Использование углеродных (С) слоев (однослойного и многослойного графена) для разработки\nкомбинированных с полупроводниками A3B\n5 приборов наноэлектроники затруднено из-за отсутствия\nподходящих методов формирования С-слоев непосредственно на поверхности полупроводниковых\nструктур с сохранением их свойств.\nВ данной работе показана возможность получения углеродных нанослоев непосредственно на\nповерхности GaAs структур методом импульсного лазерного распыления пирографита в вакууме. Для\nнанесения С-слоев использован лазер YAG:Nd (длина волны 532 нм). Подложка при выращивании\nподдерживалась при 500°С, а толщина С-слоя определялась временем испарения и составляла от 4 до\n20 нм. По результатам исследований комбинационного рассеяния света и рентгеновской\nфотоэлектронной спектроскопии полученные углеродные слои представляют собой сплошную пленку\nнанокристаллического графита, состоящую из зерен многослойного графена.","PeriodicalId":356596,"journal":{"name":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","volume":"61 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2021-09-27","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/rcsp2021-92","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}

引用次数: 0

Abstract

Использование углеродных (С) слоев (однослойного и многослойного графена) для разработки комбинированных с полупроводниками A3B 5 приборов наноэлектроники затруднено из-за отсутствия подходящих методов формирования С-слоев непосредственно на поверхности полупроводниковых структур с сохранением их свойств. В данной работе показана возможность получения углеродных нанослоев непосредственно на поверхности GaAs структур методом импульсного лазерного распыления пирографита в вакууме. Для нанесения С-слоев использован лазер YAG:Nd (длина волны 532 нм). Подложка при выращивании поддерживалась при 500°С, а толщина С-слоя определялась временем испарения и составляла от 4 до 20 нм. По результатам исследований комбинационного рассеяния света и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии полученные углеродные слои представляют собой сплошную пленку нанокристаллического графита, состоящую из зерен многослойного графена.

查看原文本刊更多论文

碳化镓结构:光电设备和beta伏特设备的多功能应用

使用碳(c)层(单层和多层石墨)来设计与A3B5纳米电子学半导体相结合的纳米电子学是困难的，因为没有合适的方法直接在半导体结构的表面形成，并且具有其特性。这项工作展示了直接在GaAs表面产生碳纳米的可能性，这是一种脉冲激光在真空中喷洒石墨的方法。使用c层激光器YAG:Nd(波长532纳米)。衬底下выращиванииподдержива500°,而厚度层定义时间蒸发和占4до20 nm。根据对光的组合散射和x射线光电光谱学的研究，碳层是由多层石墨组成的全膜结晶石墨。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

自引率

0.00%

发文量