SOT-MRAM – Third generation MRAM memory opens new opportunities : Hot Chips Conference August 2021

2021 IEEE Hot Chips 33 Symposium (HCS) Pub Date : 2021-08-22 DOI:10.1109/HCS52781.2021.9567072

Barry A. Hoberman, J. Nozieres

引用次数: 1

Abstract

SOT is a straightforward extension of today’s ‘in production’ MRAM technologies running in major foundries. First memory technology to genuinely have the capability to converge both SRAM and NVM characteristics in advanced CMOS nodes $( \le 28$ nm). Power, cost, and performance benefits of SOT are compelling. SOT is still in development, but look for market visibility to begin around 2024

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SOT-MRAM -第三代MRAM存储器开启了新的机遇:热芯片会议2021年8月

SOT是当今在主要铸造厂运行的“生产中”MRAM技术的直接扩展。第一个真正有能力在先进的CMOS节点上融合SRAM和NVM特性的存储技术(\ $ 28$ nm)。SOT的功率、成本和性能优势是引人注目的。SOT仍在开发中，但市场知名度将在2024年左右开始

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