Displacement Damage Testing Results for Intersil Bipolar and BiCMOS Analog Parts

2014 IEEE Radiation Effects Data Workshop (REDW) Pub Date : 2014-07-14 DOI:10.1109/REDW.2014.7004564

N. V. van Vonno, J. E. Shick, P. Traynham, F. Ballou, J. S. Gill

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Abstract

We summarize the results of 1MeV neutron displacement damage (DD) testing of several Intersil bipolar and BiCMOS analog and power management functions, including voltage references, comparators and point of load regulators.

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