Physics of Gap-state Control at Metal/Semiconductor Junctions; Schottky Barrier and Interface Defects

2019 19th International Workshop on Junction Technology (IWJT) Pub Date : 2019-06-01 DOI:10.23919/IWJT.2019.8802894

T. Nakayama

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Abstract

In this paper, we explain recent advances in the understanding and control of Schottky barrier and interface defects at metal/semiconductor interfaces, by illustrating metal/Ge and metal/(SiC,GaN) interfaces.

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