HBT reliability modeling strategy for BICMOS RF and mmW applications

2012 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report Pub Date : 2012-10-01 DOI:10.1109/IIRW.2012.6468931

S. Ighilahriz, F. Cacho, V. Huard, L. Moquillon, P. Benech, J. Fournier

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Abstract

Heterojunction bipolar transistors, SiGe, Reliability, DC and AC stress, Dynamic parameters, Low frequency noise, Mixer, Voltage controlled oscillator, Low noise amplifier, RF stress, SOA.

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BICMOS射频和毫米波应用的HBT可靠性建模策略

异质结双极晶体管，SiGe，可靠性，直流和交流应力，动态参数，低频噪声，混频器，压控振荡器，低噪声放大器，射频应力，SOA。

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2012 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report

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