Two and three dimensional MOSFETs simulation with density gradient model

The Fourth International Workshop on Junction Technology, 2004. IWJT '04. Pub Date : 2004-03-15 DOI:10.1109/IWJT.2004.1306868

T. Toyabe

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Abstract

A 2D and 3D density gradient model is described. Drain current characteristics taking quantum effects into consideration are simulated for extremely scaled bulk nMOSFETs with nanometer channel length and decananoscale tri-gate FinFETs.

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The Fourth International Workshop on Junction Technology, 2004. IWJT '04.

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