Design of 90nm 1Gb ORNAND/sup TM/ Flash Memory with MirrorBit/sup TM/ Technology

2006 Symposium on VLSI Circuits, 2006. Digest of Technical Papers. Pub Date : 2006-06-15 DOI:10.1109/VLSIC.2006.1705336

T. Kuo, N. Yang, N. Leong, E. Wang, F. Lai, A. Lee, H. Chen, S. Chandra, Y. Wu, T. Akaogi, A. Melik-Martirosian, A. Pourkeramati, J. Thomas, M. Vanbuskirk

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Abstract

Using the virtual ground array structure of 2 bits/cell MirrorBittrade technology, a 90nm, 1.8V ORNANDtrade product combining the advantages of both NOR and NAND is presented. Full NAND functionality and performance compatibility is shown, while maintaining the NOR advantages

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采用MirrorBit/sup TM/ Technology的90nm 1Gb ORNAND/sup TM/闪存设计

利用2位/单元mirrorettrade技术的虚拟地面阵列结构，提出了一种结合NOR和NAND优点的90nm、1.8V ORNANDtrade产品。完整的NAND功能和性能兼容性显示，同时保持NOR的优势

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2006 Symposium on VLSI Circuits, 2006. Digest of Technical Papers.

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