High-power GaInAs/(Al)GaAs quantum dot lasers with optimized waveguide design for high brightness applications

IEEE 18th International Semiconductor Laser Conference Pub Date : 2002-12-10 DOI:10.1109/ISLC.2002.1041159

S. Deubert, F. Klopf, J. Reithmaier, A. Forchel

引用次数: 1

Abstract

Quantum dot lasers with high cw output power, very low temperature shift of emission wavelength and vertical far field angles below 35/spl deg/ could be realized.

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高功率GaInAs/(Al)GaAs量子点激光器，具有优化的波导设计，适用于高亮度应用

可以实现高连续波输出功率、极低发射波长温移和远场垂直角度小于35/spl°/的量子点激光器。

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IEEE 18th International Semiconductor Laser Conference

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