A 16K MOS RAM in Double-Polysilicon Technology

ESSCIRC 76: 2nd European Solid State Circuits Conference Pub Date : 1976-09-01 DOI:10.1109/ESSCIRC.1976.5469235

R. Mitterer, B. Rehn

引用次数: 2

Abstract

A 16 384 bit-RAM with a chip area of 23 mm2, using double-polysilicon technology, is presented. The device with a 300 ns access time fits in a 16 pin package. Circuit Principles for cell and sense amplifier and read-modify-write and page-mode operation are treated.

查看原文本刊更多论文

双多晶硅技术中的16K MOS RAM

提出了一种采用双多晶硅技术，芯片面积为23mm2的16384位ram。该器件具有300ns的访问时间，适合16引脚封装。讨论了单元和感测放大器、读-修改-写和页模式操作的电路原理。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

ESSCIRC 76: 2nd European Solid State Circuits Conference

自引率

0.00%

发文量