ИК поглощение света на оптических фононах наноструктур AlN с нанометровым пространственным разрешением

Abstract

Сообщается об исследовании фононного спектра одиночных наноструктур AlN с помощью ИК спектроскопии с пространственным разрешением в несколько десятков нанометров. В работе исследовались два типа образцов: (1)- вертикально стоящие гексагональные наноколонны AlN с латеральным размером около 300 нм и высотой 25 нм, сформированные методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности слоя AlN на кремниевой подложке, (ось с перпендикулярна плоскости образа) и (2)- наноколонны AlN диаметром около 200 нм. и длиной до нескольких нанометров, лежащие на поверхности золота (ось с направлена вдоль поверхности образца), полученные эпитаксией из газовой фазы.