C A D Models of MOSFET Transistors and their Parameter Acquisition on an Automatic System

ESSCIRC 76: 2nd European Solid State Circuits Conference Pub Date : 1976-09-01 DOI:10.1109/ESSCIRC.1976.5469080

B. Baylac, G. Merckel

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Abstract

We present a parameter automatic acquisition system (S I A M) applied to C A D models of MOSFET transistors. The results are obtained on P channel and N channel, S O S and bulk devices.

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ESSCIRC 76: 2nd European Solid State Circuits Conference

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