A New Structure of High-performance Source/drain Coupling Negative-capacitance FET Featuring Excellent Short-channel Controllability and Near Hysteresis-free

Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials Pub Date : 2019-09-05 DOI:10.7567/ssdm.2019.n-6-06

F. Li, E. Hsieh, C. Chiu, C. Liu, S. Chung, T. Chen, S.A. Huang, T.J. Chen, O. Cheng

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