A One Micron CMOS 160Mbit/s 8×8 Asynchronous Time Division Switch

ESSCIRC '89: Proceedings of the 15th European Solid-State Circuits Conference Pub Date : 1989-09-01 DOI:10.1109/ESSCIRC.1989.5468077

G. Surace, D. R. Clewett, A. Pickering

引用次数: 2

Abstract

This paper describes a CMOS self routing 8 input 8 output 160 Mbit/s switch chip designed on a one micron trench isolation technology and three layers of metal.

查看原文本刊更多论文

A 1微米CMOS 160Mbit/s 8×8异步时分开关

本文介绍了一种采用1微米沟槽隔离技术和三层金属结构设计的CMOS自路由8输入8输出160mbit /s开关芯片。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

ESSCIRC '89: Proceedings of the 15th European Solid-State Circuits Conference

自引率

0.00%

发文量