{"title":"Механизмы проводимости в твердых растворах YbxMn1-xS / Харьков А.М., Ситников М.Н., Филлипсон Г.Ю.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-65","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Соединения, содержащие элементы с переменной валентностью, обнаруживают электронные\nфазовые переходы. В окрестности электронного фазового перехода меняется механизм, который\nможно установить из ВАХ. В твердом растворе YbxMn1-xS с x=0.15 в интервале температур 80 – 400 К\nпроведены измерения ВАХ с целью установить смену механизма проводимости Мотта на механизм\nпроводимости Пула-Френкеля. В области температур, где наблюдается зарядовое упорядочение,\nпроводимость описывается в модели токов, ограниченных пространственным зарядом и описывается\nквадратичным законом Мотта [1]:\nгде, j – плотность тока, τμ– максвелловское время релаксации, σ0 – электропроводность в объеме\nматериала, μ – подвижность носителей заряда, L – толщина образца. \nПредставлены экспериментальные данные ВАХ в логарифмических координатах хорошо\nописываются законом Мотта (1) при T=160K, 200K, а на Рис.1b при T=280K, 320K, 360K преобладает\nмеханизм проводимости Пула-Френкеля (2), согласно которому сильное электрическое поле,\nприложенное к образцу, меняет вид потенциальных барьеров для носителей заряда между атомами\nкристаллической решетки. Это приводит к увеличению количества электронов в образце за счет\nпреодоления потенциального барьера. Ток в этом случае экспоненциально зависит от напряжения:\nгде, e – заряд электрона, n0 – концентрация электронов в зоне проводимости в отсутствии поля, k –\nпостоянная Больцмана, β – постоянная Пула-Френкеля зависящая от ε – диэлектрической\nпроницаемости полупроводника. Линейность участков на логарифмической зависимости I/U от U1/2 в\nкоординатах Пула-Френкеля свидетельствует о том, что преобладающий транспорт носителей заряда\nосуществляется за счет, как прыжкового механизма проводимости, так и за счет туннельной эмиссии\nэлектронов [2].","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-65","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
Соединения, содержащие элементы с переменной валентностью, обнаруживают электронные
фазовые переходы. В окрестности электронного фазового перехода меняется механизм, который
можно установить из ВАХ. В твердом растворе YbxMn1-xS с x=0.15 в интервале температур 80 – 400 К
проведены измерения ВАХ с целью установить смену механизма проводимости Мотта на механизм
проводимости Пула-Френкеля. В области температур, где наблюдается зарядовое упорядочение,
проводимость описывается в модели токов, ограниченных пространственным зарядом и описывается
квадратичным законом Мотта [1]:
где, j – плотность тока, τμ– максвелловское время релаксации, σ0 – электропроводность в объеме
материала, μ – подвижность носителей заряда, L – толщина образца.
Представлены экспериментальные данные ВАХ в логарифмических координатах хорошо
описываются законом Мотта (1) при T=160K, 200K, а на Рис.1b при T=280K, 320K, 360K преобладает
механизм проводимости Пула-Френкеля (2), согласно которому сильное электрическое поле,
приложенное к образцу, меняет вид потенциальных барьеров для носителей заряда между атомами
кристаллической решетки. Это приводит к увеличению количества электронов в образце за счет
преодоления потенциального барьера. Ток в этом случае экспоненциально зависит от напряжения:
где, e – заряд электрона, n0 – концентрация электронов в зоне проводимости в отсутствии поля, k –
постоянная Больцмана, β – постоянная Пула-Френкеля зависящая от ε – диэлектрической
проницаемости полупроводника. Линейность участков на логарифмической зависимости I/U от U1/2 в
координатах Пула-Френкеля свидетельствует о том, что преобладающий транспорт носителей заряда
осуществляется за счет, как прыжкового механизма проводимости, так и за счет туннельной эмиссии
электронов [2].