High growth rate Gallium Phosphide for red LEDs

2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) Pub Date : 2013-05-19 DOI:10.1109/ICIPRM.2013.6562611

S. Farrell, C. Ebert, D. Dyer

引用次数: 1

Abstract

Growth rates of up to 17 microns per hour for Gallium Phosphide grown by MOCVD are achieved and material doping properties are analyzed.

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用于红色led的高生长速率磷化镓

实现了MOCVD生长的磷化镓每小时高达17微米的生长速率，并分析了材料的掺杂特性。

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