Quantum Dot Superluminescent Diodes - Bandwidth Engineering and Epitaxy for High Powers

2007 IEEE 19th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials Pub Date : 2007-05-14 DOI:10.1109/ICIPRM.2007.381180

T. L. Choi, S. Ray, Z. Zhang, D. Childs, K. Groom, B. Stevens, H. Liu, M. Hopkinson, R. Hogg

引用次数: 1

Abstract

We present experimental and theoretical work describing the engineering of broadband quantum dot superluminescent diodes for a wide range of applications. The key differences, advantages, and challenges of using quantum dots are discussed.

查看原文本刊更多论文

量子点超发光二极管-高功率的带宽工程和外延

我们提出的实验和理论工作描述的工程宽带量子点超发光二极管的广泛应用。讨论了使用量子点的主要区别、优势和挑战。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

2007 IEEE 19th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials

自引率

0.00%

发文量