High-Resolution Observation of In-Plane Carrier Concentration Nonuniformity in Vertical GaN p-n Diode Using Franz-Keldysh Effect and Avalanche Multiplication

Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials Pub Date : 2019-09-05 DOI:10.7567/ssdm.2019.k-7-02

S. Kawasaki, H. Fukushima, S. Usami, Y. Ando, A. Tanaka, M. Deki, M. Kushimoto, S. Nitta, Y. Honda, H. Amano

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利用Franz-Keldysh效应和雪崩倍增对垂直GaN p-n二极管面内载流子浓度非均匀性的高分辨率观测

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