New HEMT structures for THz applications

63rd Device Research Conference Digest, 2005. DRC '05. Pub Date : 2005-06-22 DOI:10.1109/DRC.2005.1553145

A. Cappy, N. Widimann, S. Bolaert, X. Wallart, W. Knap

引用次数: 0

Abstract

THz radiations present a great interest for applications in different fields ranging from telecommunications to sensors for biology and medicine. This paper reviews two new field effect devices especially suited for THz applications: double-gate HEMTs (DG-HEMT) and plasma wave transistors

查看原文本刊更多论文

用于太赫兹应用的新型HEMT结构

太赫兹辐射在从电信到生物和医学传感器等不同领域的应用中表现出极大的兴趣。本文综述了两种特别适合太赫兹应用的新型场效应器件:双栅hemt (DG-HEMT)和等离子体波晶体管

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

63rd Device Research Conference Digest, 2005. DRC '05.

自引率

0.00%

发文量