Improved BESOI substrates for high speed ICs

1995 IEEE International SOI Conference Proceedings Pub Date : 1995-10-03 DOI:10.1109/SOI.1995.526465

A. Plettner, K. Haberger, K. Neumeier

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Abstract

A technology is presented, which is closely related to the BESOI fabrication process. A highly conductive layer buried beneath the insulating oxide layer is advantageous for the propagation of high frequency signals on interconnects.

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用于高速集成电路的改进BESOI衬底

提出了一种与BESOI制造工艺密切相关的技术。埋在绝缘氧化层下面的高导电层有利于在互连上传播高频信号。

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1995 IEEE International SOI Conference Proceedings

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