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1995 IEEE International SOI Conference Proceedings - 最新文献
High speed performance of 0.35 /spl mu/m CMOS gates fabricated on low dose SIMOX substrates with/without N-well underneath the buried oxide layer
Pub Date : 1995-10-03 DOI: 10.1109/SOI.1995.526437 A. Yoshino, K. Kumagai, N. Hamatake, T. Tatsumi, H. Onishi, S. Kurosawa, K. OkumuraSOI material characterization using optical second harmonic generation
Pub Date : 1995-10-03 DOI: 10.1109/SOI.1995.526477 Y. Gu, T. Vu, G. LiEnergy levels of electrons trapped in buried oxide of SIMOX structures
Pub Date : 1995-10-03 DOI: 10.1109/SOI.1995.526481 V. Afanas'ev, A. Revesz, W. Jenkins, H. Hughes
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