Фотоэлектроника на основе коллоидных наноматериалов

Abstract

Описаны конструкции фоторезисторов, фотодиодов и фототранзисторов, в том числе матричного типа, на основе материалов с пониженной размерностью, использующие различные механизмы усиления фотосигнала. Однако, до последнего времени данные работы не выходили за рамки фундаментальных. В последние 2 года произошли принципиальные изменения в этой области, позволяющие говорить о возникновении нового направления фотоэлектроники на основе новых материалов, существенно отличающихся от широко используемых в промышленности как монокристаллических и эпитаксиальных, так и поликристаллических материалов. В течение сравнительно короткого времени на мировом рынке появилось несколько компаний представивших промышленные образцы фотоприемных устройств с использованием коллоидных квантовых точек и двумерных материалов [4- 5] чувствительные в широком спектральном диапазоне от видимого до короткого ИК. По целому ряду ключевых характеристик упомянутые приборы хотя пока и уступают, однако стремительно приближаются к фотоприемникам, выполненным по классической монокристальной или эпитаксиальной технологии, а по таким характеристикам как ширина спектрального диапазона, максимальный формат матрицы ФЧЭ и стоимость уже могут успешно составить конкуренцию. В этой связи в нашей стране особенно актуальными становится как развитие работ фундаментального и поискового характера направленных на исследование новых наноматериалов для фотосенсоров различных спектральных диапазонов, механизмов формирования и усиления фотосигнала, так и проведение прикладных работ направленных на развитие новых направлений конструирования фотоприемных устройств новых типов и внедрение новых материалов и подходов в промышленную технологию фотоэлектроники