Design impacts on NAND Flash memory core circuits with vertical MOSFETs

2010 IEEE International Memory Workshop Pub Date : 2010-05-16 DOI:10.1109/IMW.2010.5488310

K. Sakui, T. Endoh

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Abstract

By utilizing the vertical MOSFETs advantages, the compact, efficient, and low-power peripheral core circuit design for the NAND Flash memory has been proposed.

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