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2010 IEEE International Memory Workshop - 最新文献
A comprehensive study of degradation behavior of select transistors in the Charge Trap Flash memories
Pub Date : 2010-05-16 DOI: 10.1109/IMW.2010.5488386 Byeong-In Choe, Sung-Il Chang, Chang-seok Kang, Jintaek Park, Joohyuck Chung, Young-woo Park, Jungdal Choi, C. ChungLifetime and wearout current modeling of ultra-thin oxide antifuse bitcells using transient characterization
Pub Date : 2010-05-16 DOI: 10.1109/IMW.2010.5488412 M. Deloge, B. Allard, P. Candelier, J. Damiens, E. Le-Roux, M. RafikNovel 3-D stacked NAND flash string without body cross-talk effect
Pub Date : 2010-05-16 DOI: 10.1109/IMW.2010.5488410 M. Jeong, Joo-Wan Lee, I. Cho, Byung-Gook Park, Hyungcheol Shin, Jang-Sik Lee
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