30 GHz Ge/SiGe multiple quantum well photodiode

8th IEEE International Conference on Group IV Photonics Pub Date : 2011-11-01 DOI:10.1109/GROUP4.2011.6053807

P. Chaisaku, D. Marris-Morini, G. Isella, D. Chrastina, X. Le roux, S. Edmond, E. Cassan, J. Coudevylle, L. Vivien

引用次数: 0

Abstract

Surface-illuminated vertical p-i-n Ge/SiGe multiple quantum wells photodiodes are demonstrated with a low dark current density of 200 mA/cm2 and 10 GHz optical bandwidth at −1 V which reaches over 30 GHz at −7 V.

查看原文本刊更多论文

30 GHz Ge/SiGe多量子阱光电二极管

表面照明的垂直p-i-n Ge/SiGe多量子阱光电二极管具有200 mA/cm2的低暗电流密度和−1 V时10 GHz的光带宽，−7 V时达到30 GHz以上。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

8th IEEE International Conference on Group IV Photonics

自引率

0.00%

发文量