Influence of drain voltage on MOSFET threshold voltage determination by transconductance change and gm/Id methods

Ulis 2011 Ultimate Integration on Silicon Pub Date : 2011-03-14 DOI:10.1109/ULIS.2011.5758012

T. Rudenko, V. Kilchytska, M. Arshad, J. Raskin, A. Nazarov, D. Flandre

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Abstract

In this work, we study the effect of the drain voltage on the threshold voltage extraction in long-channel MOSFETs by the transconductance and transconductance-to-current-ratio change methods, using analytical modeling and experimental data obtained on UTB SOI MOSFETs.

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