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Ulis 2011 Ultimate Integration on Silicon - 最新文献
Physically-based, multi-architecture, analytical model for junctionless transistors
Pub Date : 2011-03-14 DOI: 10.1109/ULIS.2011.5757988 M. Berthomé, S. Barraud, A. Ionescu, T. ErnstStatistical comparison of random telegraph noise (RTN) in bulk and fully depleted SOI MOSFETs
Pub Date : 2011-03-14 DOI: 10.1109/ULIS.2011.5757959 J. Nishimura, T. Saraya, T. HiramotoMonte Carlo simulation of a 20 nm gate length implant free quantum well Ge pMOSFET with different lateral spacer width
Pub Date : 2011-03-14 DOI: 10.1109/ULIS.2011.5757985 KahHou Chan, B. Benbakhti, C. Riddet, J. Watling, A. Asenov
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