Case study of DPI robustness of a MOS-SCR structure for automotive applications

2016 38th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD) Pub Date : 2016-09-01 DOI:10.1109/EOSESD.2016.7592538

Yang Xiu, F. Farbiz, A. Salman, Y. Zu, M. Dissegna, G. Boselli, E. Rosenbaum

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Abstract

This paper presents a case study to demonstrate that transient-triggered ESD protection circuits may fail the DPI automotive requirement. A novel scheme is devised to improve the DPI performance of a MOSSCR protection device while maintaining the system-level ESD performance.

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汽车用MOS-SCR结构DPI鲁棒性的实例研究

本文提出了一个案例研究，以证明瞬态触发ESD保护电路可能无法满足汽车DPI的要求。设计了一种新的方案来提高MOSSCR保护器件的DPI性能，同时保持系统级ESD性能。

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2016 38th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD)

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