1024-Bit Fully Decoded MNOS Non-Volatile Memory

ESSCIRC 76: 2nd European Solid State Circuits Conference Pub Date : 1976-09-01 DOI:10.1109/esscirc.1976.5469232

D. Bostock

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Abstract

A 1024-bit fully decoded MNOS memory is described which is fabricated using silicon-on-sapphire technology to provide the required isolation between the MNOS memory array and the decoding circuitry.

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1024位全解码MNOS非易失性存储器

描述了一种1024位完全解码的MNOS存储器，该存储器采用蓝宝石上硅技术制造，以提供MNOS存储器阵列和解码电路之间所需的隔离。

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ESSCIRC 76: 2nd European Solid State Circuits Conference

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