Silicon carbide p-n structures as power rectifiers

Proceedings of the 6th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics Pub Date : 1994-05-31 DOI:10.1109/ISPSD.1994.583735

V. Chelnokov, A. M. Strel’chuk, P. Ivanov, G. Lentz, C. Parniere

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Abstract

We consider theoretical and practical aspects of designing power high-voltage rectifiers on the base of the wide bandgap semiconductor, 6H-silicon carbide.

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作为功率整流器的碳化硅p-n结构

我们考虑了基于宽禁带半导体6h -碳化硅设计大功率高压整流器的理论和实践方面。

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Proceedings of the 6th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics

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