TID and SEE Characterization of Rad-Hardened 1.2GHz PLL IP from New ST CMOS 65nm Space Technology

2014 IEEE Radiation Effects Data Workshop (REDW) Pub Date : 2014-07-14 DOI:10.1109/REDW.2014.7004601

F. Malou, G. Gasiot, R. Chevallier, L. Dugoujon, P. Roche

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Abstract

We present Single Event Effects characterization and Total Ionizing Dose behavior up to 300 krad(Si) on Rad-Hardened 1.2GHz PLL IP and cold-spare I/O from new ST CMOS 65nm space technology.

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基于新ST CMOS 65nm空间技术的射频硬化1.2GHz锁相环IP的TID和SEE特性

我们展示了单事件效应表征和高达300 krad(Si)的总电离剂量行为，在新的ST CMOS 65nm空间技术的rad硬化1.2GHz PLL IP和冷备用I/O上。

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2014 IEEE Radiation Effects Data Workshop (REDW)

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