Carrier leakage in 1.3/spl mu/m SCH quantum well lasers

13th IEEE International Semiconductor Laser Conference Pub Date : 1992-09-21 DOI:10.1109/ISLC.1992.763649

S. Hausser, C. Harder, H. Meier

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Abstract

We demonstrate 1300 nm SCH quantum well lasers grown by CBE with low threshold and high efficiency. Spontaneous emission measurements of these lasers indicate strong carrier leakage. This reduces To to values around 55 K.

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1.3/spl μ m SCH量子阱激光器的载流子泄漏

实验证明了用CBE生长1300 nm SCH量子阱激光器具有低阈值和高效率。这些激光器的自发发射测量表明，强载流子泄漏。这将To减少到55k左右的值。

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13th IEEE International Semiconductor Laser Conference

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