INVESTIGATION OF THE INFLUENCE OF Si-SiO2 TRANSITION LAYERS ON THE CAPACITY-VOLTAGE CHARACTERISTICS IN THREE-LAYER SILICON STRUCTURES
SEMOCONDUCTOR PHYSICS AND MICROELECTRONICS
Pub Date : 2021-10-30
DOI:10.37681/2181-1652-019-x-2021-5-6
引用次数: 0
Abstract
INVESTIGATION OF THE INFLUENCE OF Si-SiO2 TRANSITION LAYERS ON THE CAPACITY-VOLTAGE CHARACTERISTICS IN THREE-LAYER SILICON STRUCTURES硅- sio2过渡层对三层硅结构中电容-电压特性影响的研究
硅- sio2过渡层对三层硅结构中电容-电压特性影响的研究
本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文
求助全文
求助内容：
应助结果提醒方式：
京公网安备 11010802042870号
