Numerical simulation of generation in n-SI-n structures

Proceedings of the 7th Conference on Semi-insulating III-V Materials, Pub Date : 1992-04-21 DOI:10.1109/SIM.1992.752719

J. Viallet, G. Picoli, K. Turki

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Abstract

Numerical simulations demonstrate that generation in n-SI-n structures gradually modifies the structure electric field distribution.

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n-SI-n结构生成的数值模拟

数值模拟表明，在n-SI-n结构中产生电场会逐渐改变结构电场分布。

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