2K×8b HCMOS static RAMs

1980 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/ISSCC.1980.1156107

T. Masuhara, O. Minato, T. Sasaki, H. Nakamura, Y. Sakai, T. Yasui, K. Uchibori

引用次数: 7

Abstract

A pair of HCMOS static RAMs with 2K word×8b organization, using JFET-powered static RAM cells and operating at 74ns typical access time, operating power of 200mW and standby power of 25μW will be described.

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2K×8b HCMOS静态ram

本文将描述一对2K word×8b结构的HCMOS静态RAM，采用jfet供电的静态RAM单元，工作时间为74ns，工作功率为200mW，待机功率为25μW。

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1980 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers

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