A 48ps ECL in a self-aligned bipolar technology

1987 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/ISSCC.1987.1157152

K. Washio, T. Nakamura, K. Nakazato, T. Hayashida

引用次数: 29

Abstract

A polysilicon edge base contact bipolar technology with a gate array of 48ps and a mixed ECL-I2L frequency divider operating at 10GHz will be described.

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自对准双极技术中的48ps ECL

将描述具有48ps门阵列和工作在10GHz的混合ECL-I2L分频器的多晶硅边基接触双极技术。

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1987 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers

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