Energy barrier heights of ultra-thin silicon dioxide films with different metal gates

Extended Abstracts of International Workshop on Gate Insulator (IEEE Cat. No.03EX765) Pub Date : 2003-12-19 DOI:10.1109/IWGI.2003.159193

N. Yoshii, S. Morita, A. Shinozaki, M. Aoki, M. Morita

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Abstract

In this study, we have examined a way to determine the barrier height of ultra-thin SiO/sub 2/ films by current density-oxide voltage characteristics of MOS diode using different metal gates.

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