Проблема резервуара дырок в нетрадиционной картине квантового эффекта Холла в двойной квантовой яме p-HgTe/CdHgTe / Якунин М.В., Криштопенко С.С., Подгорных С.М., Попов М.Р., Неверов В.Н., Teppe F., Jouault B., Desrat W., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.

{"title":"Проблема резервуара дырок в нетрадиционной картине квантового\nэффекта Холла в двойной квантовой яме p-HgTe/CdHgTe / \nЯкунин М.В., Криштопенко С.С., Подгорных С.М., Попов М.Р., Неверов В.Н.,\nTeppe F., Jouault B., Desrat W., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-255","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В связи с обнаружением аномально широкого плато квантового эффекта Холла (КЭХ) в\nсистемах с дираковскими фермионами — в эпитаксиальном графене [1,2] и слое HgTe критической\nтолщины [3] — и актуальностью этого явления для метрологии в последнее время возродился\nинтерес к старой идее резервуара носителей тока как механизма формирования структуры КЭХ [4].\nПредполагается, что с ростом магнитного поля некий резервуар непрерывно поставляет мобильные\nносители тока в двумерный слой, в результате первое (со стороны сильных полей) состояние КЭХ\nможет продолжаться до гигантских полей [2]. Рассматриваются разные варианты такого резервуара:\nлокализованные состояния на гетерогранице графена и подложки SiC, некие карманы с высокой\nплотностью носителей внутри слоя графина. А в слое p-HgTe в качестве такого резервуара может\nвыступать боковой максимум валентной подзоны, то есть особенность собственного энергетического\nспектра без привлечения каких-либо неоднородностей в\nструктуре.\nРанее мы обнаружили необычную структуру КЭХ в\nдвойной квантовой яме (ДКЯ) p-типа проводимости,\nсостоящей из двух слоев HgTe критической толщины 6.5 нм,\nразделенных барьером CdHgTe в 3 нм [5]. Одним из\nспецифических элементов этой структуры является аномально\nширокое состояние с номером i = 2 (плато холловского\nсопротивления xy = h/ie2\n), переходящее в сильных полях в\nсостояние i = 1. Тогда как в перечисленных выше примерах\nречь шла только об аномально широком первом состоянии\nКЭХ. На основе рассчитанного зонного спектра и картины\nуровней Ландау мы показали, что наличие перехода 2–1\nсвязано со спецификой энергетического спектра ДКЯ,\nаномально широкое плато i = 2 не может существовать в\nмонослое HgTe. Положение перехода 2–1 соответствует\ni = 1.5 и дает информацию о концентрации дырок в сильном поле. В нашей ДКЯ она существенно\nбольше, чем это следует из картины КЭХ в слабых полях — в 4 раза больше в исходном состоянии\nобразца и может изменяться с помощью потенциала затвора Vg и ИК-подсветки. Таким образом, мы\nколичественно показали, что концентрация мобильных дырок действительно увеличивается с полем.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"14 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-255","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0

Abstract

В связи с обнаружением аномально широкого плато квантового эффекта Холла (КЭХ) в системах с дираковскими фермионами — в эпитаксиальном графене [1,2] и слое HgTe критической толщины [3] — и актуальностью этого явления для метрологии в последнее время возродился интерес к старой идее резервуара носителей тока как механизма формирования структуры КЭХ [4]. Предполагается, что с ростом магнитного поля некий резервуар непрерывно поставляет мобильные носители тока в двумерный слой, в результате первое (со стороны сильных полей) состояние КЭХ может продолжаться до гигантских полей [2]. Рассматриваются разные варианты такого резервуара: локализованные состояния на гетерогранице графена и подложки SiC, некие карманы с высокой плотностью носителей внутри слоя графина. А в слое p-HgTe в качестве такого резервуара может выступать боковой максимум валентной подзоны, то есть особенность собственного энергетического спектра без привлечения каких-либо неоднородностей в структуре. Ранее мы обнаружили необычную структуру КЭХ в двойной квантовой яме (ДКЯ) p-типа проводимости, состоящей из двух слоев HgTe критической толщины 6.5 нм, разделенных барьером CdHgTe в 3 нм [5]. Одним из специфических элементов этой структуры является аномально широкое состояние с номером i = 2 (плато холловского сопротивления xy = h/ie2 ), переходящее в сильных полях в состояние i = 1. Тогда как в перечисленных выше примерах речь шла только об аномально широком первом состоянии КЭХ. На основе рассчитанного зонного спектра и картины уровней Ландау мы показали, что наличие перехода 2–1 связано со спецификой энергетического спектра ДКЯ, аномально широкое плато i = 2 не может существовать в монослое HgTe. Положение перехода 2–1 соответствует i = 1.5 и дает информацию о концентрации дырок в сильном поле. В нашей ДКЯ она существенно больше, чем это следует из картины КЭХ в слабых полях — в 4 раза больше в исходном состоянии образца и может изменяться с помощью потенциала затвора Vg и ИК-подсветки. Таким образом, мы количественно показали, что концентрация мобильных дырок действительно увеличивается с полем.
由于在狄拉克费米子系统(1.2)和HgTe临界值(3)中发现异常广泛的量子霍尔效应(cah),这一现象最近又重新引起了人们对电流容器作为cah结构形成机制的兴趣。随着磁场的增加,一个容器被认为不断地将移动的电流器输送到二维层,因此第一个(强磁场)状态可能会持续到巨大的磁场(2)。考虑到这种坦克的各种可能性:格拉夫恩异质边界的局部状态和SiC基质,一些容器内载体密度很高的口袋。在p-HgTe层中,一个p-HgTe可以作为一个侧最大的价位子空间,也就是说,它自己的能量谱的特性不需要任何结构上的差异。早些时候,我们发现了一个不寻常的双量子坑p型导电性结构,由两层临界厚度6.5 nm组成,由CdHgTe 3 nm隔开。изспецифическ这个结构元素之一是аномальноширок状态i = 2号(裙子холловскогосопротивленxy = h / ie2)保罗变成强大的i = 1。而上面的例子只提到了异常广泛的第一种状态。根据计算的区域光谱和兰道图谱,我们已经证明了2 - 1跃迁与dk能量光谱的特异性有关,异常宽的i = 2高原不可能仅仅存在于HgTe层中。移位位置2 - 1对应于1.5,并提供了强场中洞浓度的信息。在我们的数据中,这比cah在弱领域的画所显示的要大得多——是原始状态的四倍,可以通过Vg快门和红外照明的潜力来改变。因此,我们在数量上表明,移动洞的浓度随着磁场的增加而增加。
本文章由计算机程序翻译,如有差异,请以英文原文为准。
求助全文
约1分钟内获得全文 求助全文
来源期刊
自引率
0.00%
发文量
0
×
引用
GB/T 7714-2015
复制
MLA
复制
APA
复制
导出至
BibTeX EndNote RefMan NoteFirst NoteExpress
×
提示
您的信息不完整,为了账户安全,请先补充。
现在去补充
×
提示
您因"违规操作"
具体请查看互助需知
我知道了
×
提示
确定
请完成安全验证×
copy
已复制链接
快去分享给好友吧!
我知道了
右上角分享
点击右上角分享
0
联系我们:info@booksci.cn Book学术提供免费学术资源搜索服务,方便国内外学者检索中英文文献。致力于提供最便捷和优质的服务体验。 Copyright © 2023 布克学术 All rights reserved.
京ICP备2023020795号-1
ghs 京公网安备 11010802042870号
Book学术文献互助
Book学术文献互助群
群 号:604180095
Book学术官方微信