{"title":"Проблема резервуара дырок в нетрадиционной картине квантового\nэффекта Холла в двойной квантовой яме p-HgTe/CdHgTe / \nЯкунин М.В., Криштопенко С.С., Подгорных С.М., Попов М.Р., Неверов В.Н.,\nTeppe F., Jouault B., Desrat W., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А.","authors":"","doi":"10.34077/semicond2019-255","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"В связи с обнаружением аномально широкого плато квантового эффекта Холла (КЭХ) в\nсистемах с дираковскими фермионами — в эпитаксиальном графене [1,2] и слое HgTe критической\nтолщины [3] — и актуальностью этого явления для метрологии в последнее время возродился\nинтерес к старой идее резервуара носителей тока как механизма формирования структуры КЭХ [4].\nПредполагается, что с ростом магнитного поля некий резервуар непрерывно поставляет мобильные\nносители тока в двумерный слой, в результате первое (со стороны сильных полей) состояние КЭХ\nможет продолжаться до гигантских полей [2]. Рассматриваются разные варианты такого резервуара:\nлокализованные состояния на гетерогранице графена и подложки SiC, некие карманы с высокой\nплотностью носителей внутри слоя графина. А в слое p-HgTe в качестве такого резервуара может\nвыступать боковой максимум валентной подзоны, то есть особенность собственного энергетического\nспектра без привлечения каких-либо неоднородностей в\nструктуре.\nРанее мы обнаружили необычную структуру КЭХ в\nдвойной квантовой яме (ДКЯ) p-типа проводимости,\nсостоящей из двух слоев HgTe критической толщины 6.5 нм,\nразделенных барьером CdHgTe в 3 нм [5]. Одним из\nспецифических элементов этой структуры является аномально\nширокое состояние с номером i = 2 (плато холловского\nсопротивления xy = h/ie2\n), переходящее в сильных полях в\nсостояние i = 1. Тогда как в перечисленных выше примерах\nречь шла только об аномально широком первом состоянии\nКЭХ. На основе рассчитанного зонного спектра и картины\nуровней Ландау мы показали, что наличие перехода 2–1\nсвязано со спецификой энергетического спектра ДКЯ,\nаномально широкое плато i = 2 не может существовать в\nмонослое HgTe. Положение перехода 2–1 соответствует\ni = 1.5 и дает информацию о концентрации дырок в сильном поле. В нашей ДКЯ она существенно\nбольше, чем это следует из картины КЭХ в слабых полях — в 4 раза больше в исходном состоянии\nобразца и может изменяться с помощью потенциала затвора Vg и ИК-подсветки. Таким образом, мы\nколичественно показали, что концентрация мобильных дырок действительно увеличивается с полем.","PeriodicalId":213356,"journal":{"name":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","volume":"14 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2019-08-20","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Тезисы докладов XIV РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ «ПОЛУПРОВОДНИКИ-2019»","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.34077/semicond2019-255","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
В связи с обнаружением аномально широкого плато квантового эффекта Холла (КЭХ) в
системах с дираковскими фермионами — в эпитаксиальном графене [1,2] и слое HgTe критической
толщины [3] — и актуальностью этого явления для метрологии в последнее время возродился
интерес к старой идее резервуара носителей тока как механизма формирования структуры КЭХ [4].
Предполагается, что с ростом магнитного поля некий резервуар непрерывно поставляет мобильные
носители тока в двумерный слой, в результате первое (со стороны сильных полей) состояние КЭХ
может продолжаться до гигантских полей [2]. Рассматриваются разные варианты такого резервуара:
локализованные состояния на гетерогранице графена и подложки SiC, некие карманы с высокой
плотностью носителей внутри слоя графина. А в слое p-HgTe в качестве такого резервуара может
выступать боковой максимум валентной подзоны, то есть особенность собственного энергетического
спектра без привлечения каких-либо неоднородностей в
структуре.
Ранее мы обнаружили необычную структуру КЭХ в
двойной квантовой яме (ДКЯ) p-типа проводимости,
состоящей из двух слоев HgTe критической толщины 6.5 нм,
разделенных барьером CdHgTe в 3 нм [5]. Одним из
специфических элементов этой структуры является аномально
широкое состояние с номером i = 2 (плато холловского
сопротивления xy = h/ie2
), переходящее в сильных полях в
состояние i = 1. Тогда как в перечисленных выше примерах
речь шла только об аномально широком первом состоянии
КЭХ. На основе рассчитанного зонного спектра и картины
уровней Ландау мы показали, что наличие перехода 2–1
связано со спецификой энергетического спектра ДКЯ,
аномально широкое плато i = 2 не может существовать в
монослое HgTe. Положение перехода 2–1 соответствует
i = 1.5 и дает информацию о концентрации дырок в сильном поле. В нашей ДКЯ она существенно
больше, чем это следует из картины КЭХ в слабых полях — в 4 раза больше в исходном состоянии
образца и может изменяться с помощью потенциала затвора Vg и ИК-подсветки. Таким образом, мы
количественно показали, что концентрация мобильных дырок действительно увеличивается с полем.