Analisis Pengaruh Penambahan Fototransistor PNP pada Sistem Serat Optik

Abstract

Penelitian ini menganalisis unjuk kerja fototransistor PNP berbahan Gallium Arsenide (GaAs) dan Silicon (Si). Berdasarkan analisis untuk fototransistor galium arsenida dan silikon PNP, arus emitor pada keluaran lebih besar daripada arus foton pada saat kejadian. Dengan?= 1017?3;?= 1016?3dan?= 1019?3;?= 1016?3Arus input untuk material GaAs masing-masing adalah 1,6865×10?7 .?dan 8.0331×10?6A. Dengan penambahan internal gain pada materi GaAs yaitu; keuntungan internal basis umum (?)= 0,9991; 0,8974 dan penguatan internal emitor bersama (?)=1125; 8.7488, maka setiap arus keluaran adalah 1.8973×10?4?dan 7.028×10?5?. Dengan penambahan penguatan internal pada fototransistor, diperoleh SNR = 26256 dan 8022.Adapun bahan silikon dengan?= 1017m3;?= 1016?3dan?= 1019?3;?= 1016?3arus input dan arus keluaran masing-masing 1,0766 × 10?7?dan 1,266×10?6?. Dengan internal gain pada bahan silikon yaitu; untuk keuntungan internal basis umum (?)=0,9994; 0,9220 dan penguatan internal emitor bersama (?)= 1563; 11,818, maka arus keluarannya masing-masing adalah 1,6831×10?4A dan 1,4827×10?5A. Dengan penambahan penguatan internal, SNR untuk silikon masing-masing adalah 8,3766×10?5 dan 3,3609×10?6.