A dense gate matrix layout style for MOS LSI

1980 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/ISSCC.1980.1156074

A. Lopez, Hung-Fai Law

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Abstract

This paper will discuss a layout style - gate matrix - for CMOS VLSI in the polysilicon gate technology. Approach, simplifying and unifying layout procedure by using an orderly structure, a matrix, characterized by rows of polysilicon and columns of diffusion, has been tested in a 20,000- transistor layout.

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1980 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers

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