Особенности эффекта поля в квазиодномерном слоистом полупроводнике TiS3 / Горлова И.Г., Фролов А.В., Орлов А.П., Шахунов В.А., Покровский В.Я

Abstract

В слоистом квазиодномерном полупроводнике TiS3 недавно обнаружен пик эффекта Холла при T060 K и резкое увеличение нелинейной проводимости при T

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层状квазиодномерн半导体TiS3最近发现霍尔效应峰приT060 K和非线性大幅增加增益T < T0[1]。这些异常可能与相变为凝结电子状态(1)有关。TiS3的兴趣也来自于纳米电子学中可能的应用。TiS3纳米制造了第一个现场晶体管(2)。这篇论文展示了TiS3单晶体紫外光场效应的研究结果。现场晶体管型结构是基于100 - 200纳米厚的织物。测量R与Vg纳扎特电压的关系，以及不同Vg下的R(T)和wah的关系。R(Vg)依赖度的倾斜度对应于4 - 2 - 300 k的n型导电性，这证实并补充了霍尔效应测量结果为30 k(1)。结果值有效流动,µeff (300 K)20英寸/秒及其温度效应数据依赖性同意保罗нананослоTiS3[2]。与此同时，aeff (300 K)是hallov机动性(1)的两倍，差异随着T.C .温度的下降而增加，1/R / dR/dVg的抗应力敏感度也在上升，反映了n在非导电性中的浓度下降。在低于80 k的情况下，磁场效应急剧下降。温度依赖性保罗和霍尔效应优质效应相似,但пик1 / R dR / dVg观察80高出20到顶峰时抵抗холловск[1]。在低温下，这两种特性都可能受到局部效应或p型载体的影响。但是，在比effitahall更高的温度下，磁场效应的下降是有道理的，因为电子被引导成集体状态，例如电荷密度波(pcp)。TaS3产生的场效应减少了;与TiS3类似的场效应和霍尔效应的温度关系在另一个化合物NbSe3中观察到。a eff和a H以上的区别可以用n以上的下降来解释，但是，在凝结状态下的nav电子波动变化也可以解释在上面接近的T0时eff/ a的下降。T0时感应电子进入集体状态60到确认ивлиян球场非线性效应传导小胡子。T0затворепривод只是偏移电压依赖性高微分电导ddI / dV,从Vнапостоя变量,即非线性传导性d (V) -d(0),并不取决于经。在T0 +以下，Vg类型的wah发生变化:非线性导电性随着n.n.a.的增长而增加;有趣的是，T0也依赖于Vg: n越高，T0越低。类似地，t0s依赖于n，比较样本和不同浓度的硫磺。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。